
聯(lián)系熱線
在電子領(lǐng)域,處理電磁兼容性(EMC)和電磁干擾(EMI)是開發(fā)者必須始終面對(duì)的問題。即使電路效率很高,如果不能滿足EMC的要求,也沒有意義。因此,如何通過EMC和EMI的測(cè)試是開發(fā)者關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將介紹一些在EMI和EMC中需要注意的問題,對(duì)感興趣的讀者來說,不妨看一看。
以下是一些需要注意的技巧:
1. 盡量減小噪音電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅箔面積,如開關(guān)管的漏極、集電極和初級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn)。
2. 確保輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件,如變壓器線包、變壓器磁芯和開關(guān)管的散熱片等。
3. 將噪音元件(如未遮蔽的變壓器線包、未遮蔽的變壓器磁芯和開關(guān)管等)遠(yuǎn)離外殼邊緣。因?yàn)樵谡2僮飨?,外殼邊緣很可能靠近外面的接地線。
4. 如果變壓器沒有使用電場(chǎng)屏蔽,需要將屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。
5. 盡量減小次級(jí)(輸出)整流器、初級(jí)開關(guān)功率器件、極(基極)驅(qū)動(dòng)線路和輔助整流器的電流環(huán)面積。
6. 不要將門極(基極)的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。
7. 調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值,使它在開關(guān)的死區(qū)時(shí)間里不會(huì)產(chǎn)生振鈴響聲。
8. 防止EMI濾波電感飽和。
9. 將拐彎節(jié)點(diǎn)和次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或開關(guān)管的散熱片。
10. 將初級(jí)電路的擺動(dòng)節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或散熱片。
11. 將高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或連接器端。
12. 將高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。
13. 在EMI濾波器對(duì)面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。
14. 在輔助線圈的整流器線路上放置一些電阻。
15. 在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。
16. 在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。
17. 在能夠容納的空間內(nèi),可以在變壓器的初級(jí)靜端和輔助繞組之間放置1nF/500V陶瓷電容器或一串電阻。
18. 將EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器,尤其是避免定位在繞包的端部。
19. 在足夠的PCB面積的情況下,可以在PCB上預(yù)留用于放置屏蔽繞組的腳位和放置RC阻尼器的位置,以便將RC阻尼器跨接在屏蔽繞組兩端。
20. 在空間允許的情況下,在開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門極之間放置一個(gè)小型徑向引線電容器(如米勒電容,10皮法/1千伏電容)。
21. 在空間允許的情況下,在直流輸出端放置一個(gè)小型RC阻尼器。
22. 不要將交流插座與初級(jí)開關(guān)管的散熱片靠在一起。
23. 金屬外殼的濾波器通過將接地直接連接到其外殼和地之間的大面積接地來提高接地效果。檢查濾波器的輸入和輸出線是否相互靠近。
24. 需要適當(dāng)調(diào)整X/Y電容的容值、差模電感和共模扼流圈的感量。
25. 在調(diào)整Y電容時(shí)要注意安全問題。改變參數(shù)可能會(huì)改善某個(gè)頻段的輻射,但也可能導(dǎo)致其他頻段變差,因此需要不斷嘗試找到合適的組合。
26. 可以考慮適當(dāng)增加觸發(fā)極上的電阻值,或在開關(guān)管晶體管的集電極(或MOS管的漏極)或次級(jí)輸出整流管對(duì)地接一個(gè)小電容,以有效減小共模開關(guān)噪聲。
27. 在PCB布線過程中,要控制好各個(gè)回路的回流面積,可以大大減小差模輻射。
28. 在PCB走線中增加104/103電容器作為電源去耦,在多層板布線時(shí)要求電源平面和地平面相鄰。
29. 對(duì)于輸入AC線的L線,盡量保持長(zhǎng)度短;檢查設(shè)備內(nèi)部的屏蔽,以及孔縫附近是否存在干擾源。
30. 檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆,并確保接地良好。
通過這些涉及EMC和設(shè)計(jì)的技巧,開發(fā)者可以快速掌握測(cè)試方法,并在設(shè)計(jì)過程中按照規(guī)范進(jìn)行,從而節(jié)省大量時(shí)間和金錢成本。