較近，歐盟官方期刊發(fā)布了EN61326-1，新版標(biāo)準(zhǔn)EN61326-1：2013取代了EN 61326-1：2006，并于2015年8月14日成為了強(qiáng)制性要求。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室設(shè)備，所以更新將會(huì)影響大量設(shè)備。

在EN61326-1中，性能標(biāo)準(zhǔn)A和B的定義保持不變。然而，2013版增加了與“允許的性能損失”相關(guān)的部分。如果制造商沒有確定極低性能級(jí)別或允許的性能損失，用戶可以根據(jù)設(shè)備或產(chǎn)品文檔的合理期望推斷它們。換句話說，產(chǎn)品的功能仍然可以通過2006版本中指定的用戶干預(yù)來恢復(fù)- 這個(gè)版本只是有額外的措辭來澄清。

在排放標(biāo)準(zhǔn)方面，2006版本參考CISPR 11：2003，而2013版本參考CISPR 11：2009 + A1：2010。CISPR11：2009的修訂版本在3米測(cè)試距離的“小型設(shè)備”中建立了替代輻射發(fā)射限值，“小型設(shè)備”被定義為適合于距離地平面1.5米的圓柱形測(cè)試體積和1.2米的設(shè)備。放在平坦表面上時(shí)的直徑。

在基本環(huán)境中的免疫力方面，EN61326-1：2013將靜電放電（ESD）的測(cè)試水平從EN 61636-1：2006中的±4 kV接觸放電和±4 kV空氣放電增加到了±4 kV接觸放電和±8 kV空氣放電。這樣的改變旨在使得標(biāo)準(zhǔn)更接近非實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。此外，對(duì)于磁敏設(shè)備，EN61326-1：2013新增了對(duì)工頻磁抗擾度（IEC 61000-4-8）的新要求，測(cè)試水平為3A/m。受影響的設(shè)備類型包括霍爾效應(yīng)傳感器和磁繼電器。

在工業(yè)環(huán)境中的免疫力方面，2013版本中的每個(gè)訂單項(xiàng)都符合2006版標(biāo)準(zhǔn)，沒有進(jìn)行其他更改，所以這一部分基本上是相同的。

在受控EM(電磁)環(huán)境中的免疫性方面，EN 61326：2006有一個(gè)名為“Measurement I/O”的端口類別，允許制造商定義測(cè)試級(jí)別，而且沒有強(qiáng)制測(cè)試級(jí)別，制造商需要在產(chǎn)品文檔中說明EUT的測(cè)試級(jí)別。然而，在EN61326：2013中，這個(gè)端口類別已經(jīng)被刪除。因此，之前屬于“測(cè)量I/O”類別的端口現(xiàn)在將屬于剩余的“I/O信號(hào)/控制”類別，所需的測(cè)試級(jí)別將由標(biāo)準(zhǔn)定義，而不是由制造商決定。