EN61326-1是歐洲性能排放標(biāo)準(zhǔn)。較新版本為EN 61326-1：2013，該版本取代了2006年的標(biāo)準(zhǔn)，并于2015年8月14日成為強(qiáng)制要求。根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)量，控制和實(shí)驗(yàn)室設(shè)備需要滿(mǎn)足特定的性能要求。

在EN 61326-1的2013版中，性能標(biāo)準(zhǔn)A和B的優(yōu)選部分保持不變。然而，該版本增加了與"允許的性能損失"相關(guān)的內(nèi)容。如果制造商未確定較低性能級(jí)別或允許的性能損失，用戶(hù)可以根據(jù)設(shè)備或產(chǎn)品文檔的合理期望來(lái)推斷它們。簡(jiǎn)而言之，產(chǎn)品的功能仍然可以通過(guò)用戶(hù)的干預(yù)來(lái)恢復(fù)，只是這個(gè)版本有額外的措辭來(lái)澄清。

在2006年的版本中，EN61326-1參考了CISPR 11：2003，而在2013年的版本中參考了CISPR 11：2009+A1：2010。CISPR 11：2009的修訂為3米測(cè)試距離上的"小型設(shè)備"建立了替代輻射發(fā)射限值。"小型設(shè)備"被定義為適合于距地平面1.5米的圓柱形測(cè)試體積和1.2米直徑的設(shè)備，當(dāng)放置在平坦表面上時(shí)。

在基本環(huán)境中的免疫力方面，EN 61326-1：2013將靜電放電（ESD）的測(cè)試水平從之前的±4 kV接觸放電和±4 kV空氣放電增加到了±4 kV接觸放電和±8 kV空氣放電。這個(gè)變化旨在使標(biāo)準(zhǔn)更適合非實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。對(duì)于磁敏設(shè)備，新標(biāo)準(zhǔn)增加了對(duì)工頻磁抗擾度（IEC 61000-4-8）的要求，測(cè)試水平為3A/m。這些設(shè)備包括霍爾效應(yīng)傳感器和磁繼電器。

在工業(yè)環(huán)境中的免疫力方面，EN 61326-1：2013的每個(gè)訂單項(xiàng)都包含了符合2006標(biāo)準(zhǔn)的性能標(biāo)準(zhǔn)。除此之外，該部分基本保持不變。

對(duì)于受控EM環(huán)境的免疫性，以前版本的EN 61326：2006中有一個(gè)叫做"Measurement I/O"的端口類(lèi)別，允許制造商定義測(cè)試級(jí)別，并在產(chǎn)品文檔中說(shuō)明EUT的測(cè)試級(jí)別。然而，在2013年的版本中，"Measurement I/O"這一端口類(lèi)別已被刪除。因此，之前屬于該類(lèi)別的端口現(xiàn)在將屬于"信號(hào)/控制 I/O"類(lèi)別，測(cè)試級(jí)別由標(biāo)準(zhǔn)定義，而不是由制造商指定。