電磁兼容性測(cè)試（EMC測(cè)試）是對(duì)電子產(chǎn)品的電磁干擾（EMI）和抗干擾能力（EMS）進(jìn)行綜合評(píng)價(jià)的測(cè)試。它包括試驗(yàn)場(chǎng)和試驗(yàn)儀器兩個(gè)部分，并且是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo)之一。

EMC測(cè)試旨在探測(cè)電子產(chǎn)品產(chǎn)生的電磁輻射對(duì)人體、公網(wǎng)和其他正常工作的電子產(chǎn)品的影響。其中，電磁兼容性的定義有兩個(gè)方面含義：首先，設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境下能夠正常工作，并且不對(duì)環(huán)境中任何物質(zhì)構(gòu)成不可忍受的電磁騷擾。這意味著設(shè)備必須具備一定的抗電磁干擾能力（EMS），并且設(shè)備本身產(chǎn)生的電磁騷擾對(duì)其他電子產(chǎn)品的影響不能太大（即電磁騷擾EMI）。

EMC測(cè)試主要分為EMI和EMS兩部分，即電磁騷擾測(cè)試（EMI）和電磁抗擾度測(cè)試（EMS）。其中，EMI主要涉及輻射騷擾測(cè)試、傳導(dǎo)騷擾測(cè)試、諧波電流騷擾試驗(yàn)和電壓變化和閃爍測(cè)試；EMS主要包括抗靜電干擾試驗(yàn)、RF電磁場(chǎng)的輻射抗干擾試驗(yàn)、射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)、電壓驟降、短時(shí)中斷、電壓變化抗擾度測(cè)試、浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)、快速瞬態(tài)脈沖群抗擾度的測(cè)定以及工頻磁場(chǎng)抗擾性測(cè)試。

此外，雜散輻射是指調(diào)制標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試信號(hào)時(shí)對(duì)除載頻段之外的離散頻率輻射和由正常調(diào)制和切換引起的邊帶和鄰道頻率的輻射。根據(jù)其來(lái)源，雜散輻射可分為傳導(dǎo)和輻射兩類(lèi)，其中傳導(dǎo)雜散度指在天線連接處50歐姆負(fù)載下，測(cè)量任意離散信號(hào)的電平功率，而輻射性雜散主要包括試驗(yàn)設(shè)備外殼和由互連電纜引起的雜散騷擾。

EMC測(cè)試的步驟包括規(guī)定試驗(yàn)大綱和規(guī)則、確定基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)、交換測(cè)試界面資料、檢查量具、啟動(dòng)分項(xiàng)測(cè)試以及提供檢驗(yàn)報(bào)告。

進(jìn)行EMC檢測(cè)所需的數(shù)據(jù)包括EMC認(rèn)證申請(qǐng)表、企業(yè)法人營(yíng)業(yè)執(zhí)照或登記注冊(cè)證明復(fù)印件、產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定且具有大量生產(chǎn)能力的證明、申請(qǐng)企業(yè)質(zhì)量手冊(cè)、申請(qǐng)認(rèn)證產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝概況、產(chǎn)品說(shuō)明、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)說(shuō)明、產(chǎn)品電氣示意圖和印制電路板圖表以及產(chǎn)品電磁兼容性關(guān)鍵件清單等。

較后，EMC實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試容量范圍包括傳導(dǎo)騷擾（9KHz-30MHz）、電源輻射（30MHz-300MHz）、磁輻射（9KHz-30MHz）、空間輻射（30MHz-18GHz）以及不連續(xù)傳導(dǎo)干擾（諧波、Class A）等。

電壓閃爍flickerplt.pst包含以下內(nèi)容：

- ESD抗擾度范圍為±0.1至±16.5kv。

- 防輻射干擾度R/S。

- r.EFT/B快速脈沖群抗擾度范圍為±0.1至±4.4kv。

- 防傳導(dǎo)干擾CS抗擾度范圍為0.1至30v。

- 不受磁場(chǎng)干擾的MS抗擾度范圍為0至120A/m。

- 電耗范圍為0%至100%。

- surge波涌的抗擾度范圍為0.1至6.6kv，波形為100KHz。

- 諧波和Harmonic.interharmonicimmunity產(chǎn)生的干擾有關(guān)。

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